Меню раздела

Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография.

код 598530
Автор(ы): Бычков А.А.
Год издания: 2020 г.
ISBN: 978-5-4365-6350-3
Дисциплина: Механика
Издательство: Русайнс
Страниц: 100
Вид издания: Монография
Оптовая цена: 639 руб.
В книге рассматриваются вопросы релаксации полупроводниковой пленки за счет энергии деформации. Учитывается одновременно изменение упругой энергии несоответствия,  как за счет дислокационной перестройки, так и за счет механизма неоднородного распределения состава компонент пленки. Сформулированы системы уравнений описывающих процессы релаксации. Построены компьютерные модели пленки SiGe нанометровой толщины на Si подложке и SiGe островков нанометровых размеров на смачивающем слое, учитывающие влияние механодиффузии, наличие дислокаций несоответствия, туннельных трещин, проникающих и винтовых дислокаций. Выполнены расчеты построенных моделей с использованием метода конечных элементов, аппроксимирующих формул и итерационного алгоритма. Особое внимание уделено подробному обсуждению полученных результатов и соответствующим выводам. Представленные результаты помогают определить оптимальные режимы выращивания наноразмерных эпитаксиальных гетероструктур.
Монография подготовлена в Южном федеральном университете.
Для студентов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области механики деформируемого твердого тела.
Устойчивость и разрушение дефектных механических наноструктур. (Аспирантура, Бакалавриат, Магистратура). Монография. / Бычков А.А. - Москва: Русайнс, 2020. - 100 с.

Механика

Забыли пароль? Регистрация
Если вы являетесь действующим автором издательства, для получения логина и пароля для входа в Личный кабинет направьте запрос на адрес электронной почты info-avtor@knorus.ru

Если вы еще не являетесь автором издательства, но хотите им стать, заполните авторскую заявку.